平面型磷化铟双极型晶体管

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：asdfghjki

【摘要】

：

<正>本文提出并制成一种平面型InP双极型晶体管.其基区采用Zn扩散,发射区采用Si离子注入,结果表明晶体管的共发射极电流增益h_(FE)=20,器件可在很小电流下工作(I_C=1μA,h_(F

【作者】

：

苏里曼

【机构】

：

北京电子管厂

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1990年1期

【关键词】

：

平面型双极型晶体管磷化铟

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<正>本文提出并制成一种平面型InP双极型晶体管.其基区采用Zn扩散,发射区采用Si离子注入,结果表明晶体管的共发射极电流增益h_(FE)=20,器件可在很小电流下工作(I_C=1μA,h_(FE)=5).由于器件结构和工艺类似Si平面晶体管,预计它可广泛应用于InP高速电路和光电单片集成电路.

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