【摘 要】
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通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海大学上海市新型显示设计制造与系统集成专业技术服务平台,上海微电子装备集团有限公司
【基金项目】
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国家重点研发计划(2016YFB0401105),国家自然科学基金(61674101),上海科学技术委员会项目(17DZ2291500),上海市优秀学术/技术带头人计划(18XD1424400)资助项目.
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通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构。W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0.9nm降低到0.5nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85%。同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加。制备的WZTO器件阈值电压由8.04V降至3.48V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107。
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