Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究

• 作 者: 刘彩霞 徐朝鹏 徐玉恒
• 机 构: 哈尔滨工业大学
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2004年z1期
• 关键词: CE Eu:SBN晶体 全息存储性能 位相共轭
• 基金项目: 国家973资助项目项目(G19990330),国家863计划资助项目(2001AA31304)

在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体