【摘 要】
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用窄空间外延方法·在GaAs(100)衬底上外延生长了ZnSe(100)单晶薄膜。实验条件是,T_衬=550℃,T_源=650℃,H_2-HCl气流速率为0.4—0.45 l/min,生长速率为0.25—0.3μ/h。外延
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用窄空间外延方法·在GaAs(100)衬底上外延生长了ZnSe(100)单晶薄膜。实验条件是,T_衬=550℃,T_源=650℃,H_2-HCl气流速率为0.4—0.45 l/min,生长速率为0.25—0.3μ/h。外延片在700℃的Zn和MnCl_2蒸气中处理40—60分钟,以降低ZnSe的电阻率及掺入杂质Mn。利用这一外延层制作了MS结发光二极管,在反向偏压下获得黄色电致发光。
Thin-film epitaxial growth of ZnSe (100) single crystal films on GaAs (100) substrates was performed using a narrow-space epitaxy method. The experimental conditions were T_line = 550 ℃, T_ource = 650 ℃, H_2-HCl gas flow rate of 0.4-0.45 l / min and growth rate of 0.25-0.3μ / h. The epitaxial wafer is treated in Zn and MnCl 2 vapor at 700 ° C for 40-60 minutes to reduce the resistivity of ZnSe and to incorporate impurity Mn. Using this epitaxial layer, MS junction LEDs were fabricated to obtain yellow electroluminescence under reverse bias.
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