【摘 要】
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实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院
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实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.
Experiments show that the total dose radiation effect in buried oxide layer of SOI MOSFET is related to the bias state in the radiation process.The trap charge induced by back channel leakage current is studied.A numerical model is established to simulate the charge- , Which includes the process of carrier recombination and capture by radiation.The simulation results agree well with the experimental results and explain the mechanism by which the total dose radiation effect is affected by the bias state.
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