三沟道体电荷耦合器件在近红外光区光电特性的数值模拟

• 作 者: 宋敏 张颖 王玉新 郑亚茹
• 机 构: 大连民族学院光电子技术研究所,辽宁师范大学物理系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年5期
• 关键词: 体电荷耦合器件 光敏特性 多光谱成像 bulk charge-coupled devices photosensitivity multispectral im

对三沟道BCCD(bulk charge-coupled device)在近红外光区的光电特性进行了研究．结果表明，锗制的三沟道BCCD不能在近红外光区实现多光谱成像．通过理论分析，找到了一种能保证BCCD在近红外光区工作的衬底材料应满足的吸收曲线．数值模拟结果表明：利用这种新材料制成的三沟道BCCD，其光敏特性曲线可以分别在1．0，1．1和1．26μm处出现最大值．