亚稳态GexSi1—x／Si单量子阱的缺陷性质

• 作 者: 张博 王建宝
• 机 构: 复旦大学李政道物理综合实验室
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 1997年2期
• 关键词: 亚稳态 量子阱 缺陷 锗 硅 Metastable State Ge_xSi_(1-x)/Si Single Quantum Well Defect
• 基金项目: 国家科委基础研究及应用基础研究重大项目,,上海应用材料研究与发展基金

对于处在亚稳态生长区域内阱宽为１５ｎｍ锗组为ｘ＝０．２５，０．３３，０．４０的单量子阱样品，及阱宽相同ｘ＝０．４５，０．５３的单量子阱样品，首选通过喇曼光谱测量了样品的应变弛豫程度，发现当锗组分增加到ｘ≥０．４５时，其应变开始弛豫，然后通过测量深能瞬态谱（ＤＬＴＳ），研究应变弛豫程度不同的样品中形成的缺陷性质，在ｘ＝０．２５，０．３３，０．４０样品均可以观察到量子阱中裁流子发射产生的ＤＬＴＳ峰，由