带p-n结半导体器件飘流扩散模型的拟中性极限(英文)

• 作 者: 严正香 陈守信 韩小森
• 机 构: 信阳职业技术学院数学与计算机科学系,河南大学数学与信息科学学院,河南大学数学与信息科学学院 河南信阳464000,河南开封475001,河南开封475001
• 出 处: 河南科学
• 发表日期: 2006年06期
• 关键词: p-n结 半导体器件 扩散方程 德拜长度 扩散模型 regularity 河南科学 inequality Schwarz Liapunov

研究了模拟带p-n结的绝缘半导体器件的双极飘流扩散方程组的德拜长度、消失极限(拟中性极限).同时给出了扩散方程组的极限解.

The Debye length and vanishing limit (quasi-neutral limit) of the bipolar drift-diffusion equation for simulating an insulated semiconductor device with a p-n junction are studied, and the limit solution of the diffusion equation is given.