论文部分内容阅读
用Sol-Gel钛酸镧铅（PLT）溶胶，在CVD法沉积生成的二氧化锡/玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（RTA）处理后，用X射线衍射（XRD）测试了膜的结晶取向，用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明，Sol-Gel PLT膜在SnO2衬底上能正常结晶，结晶温度与在Pt衬底上一致，结晶取向以〈100〉为主取向。10 V时，SnO2衬底上厚度为0.56 μm的PLT膜的漏电约为5.6×10-7 A/mm2, 比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=24 μC/cm