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综术字高质量ＧａＮ外延薄膜生长研究工作的最新重要进展，主要采用的新工艺为：在较低温度一生长ＧａＮ缓冲层后再高温生长ＧａＮ外延薄膜，双气流金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ），以及用开有窗口的ＳｉＯ２膜截断穿过位错后横 上延生长、Ｘ射线衍 高分辨电镜研究证实，上述工艺使ＧａＮ外延薄膜质量得到显著提高，利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场 。