【摘 要】
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利用等离子体浸没离子注入技术(PIII)成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜(AFM)观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度,黑硅材料表面呈小山峰结构,表面粗糙度约为50n
【机 构】
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中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(50725416);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题(09YS01K001)
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利用等离子体浸没离子注入技术(PIII)成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜(AFM)观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度,黑硅材料表面呈小山峰结构,表面粗糙度约为50nm。利用紫外-可见-红外分光光度计测量黑硅的反射率,结果表明黑硅材料在300~1100nm的平均反射率为7.9%,远低于酸制绒硅片反射率。利用制备的多晶黑硅材料制备太阳电池器件,其光电转换效率可达15.88%,开路电压为605mV,短路电流密度为33.7mA/cm2。最后研究了扩散工艺对黑硅太阳电池性能的影响。
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