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采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在６５０℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温２０ｍｉｎ后消失，而厚区域部分在保温４０ｍｉｎ后仍存在部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以Ｈ２分子的形式扩散的。