【摘 要】
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国际微电子学中心(IMEC)报导在采用铝(Hf)基高K介质和钽钛(TaC)金属栅来提高平面CMOS性能旨在用于32nm CMOS节点方面取得了显著的进展。在栅介质和金属栅之间加上一层薄的介
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国际微电子学中心(IMEC)报导在采用铝(Hf)基高K介质和钽钛(TaC)金属栅来提高平面CMOS性能旨在用于32nm CMOS节点方面取得了显著的进展。在栅介质和金属栅之间加上一层薄的介质帽层来获得低阈值电压(Vt)。此外,对栅叠层进行最适当的激光退火来大大缩短最小栅长并改进短沟道效应?
The International Center for Microelectronics (IMEC) reported significant advances in planar CMOS performance using aluminum (Hf) -based high-K and tantalum-titanium (TaC) metal gates intended for 32nm CMOS nodes. A thin dielectric capping layer is applied between the gate dielectric and the metal gate to achieve a low threshold voltage (Vt). In addition, the most appropriate laser gate stack annealing to greatly reduce the minimum gate length and improve the short-channel effect?
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