氢化非晶硅系薄膜的特性和应用

• 作 者: 谭芷琼
• 出 处: 光电子学技术
• 发表日期: 1986年03期
• 关键词: 氢化非晶硅 薄膜技术 光学带隙 悬挂键 溅射法 非晶半导体 图象传感器 离子束溅射 沉积速率 电子材料

氢化非晶硅系薄膜(a-Si:H、a-Si:F:H、a-Si_(1-x)C_x:H、a-Si_(1-x)C_x:F:H、a-Si_(1-x)N_x:H、a-Si_(1-x)Ge_x:H、a-Si_(1-x)Ge_x:F:H……)是新型电子材料,具有广阔的应用前景。本文综述氢化非晶硅系薄膜的制备方法,并通过局域化隙态能级的分析来讨论薄膜的光学和电学特性,最后介绍薄膜的应用。

(A-Si: H, a-Si: F: H, a-Si_ (1-x) C_x: H, a-Si_ (1-x) C_x: F: H, a-Si_ (1-x) N_x: H, a-Si_ (1-x) Ge_x: H, a-Si_ (1-x) Ge_x: F: H ...) is a new type of electronic material with broad application prospects. In this paper, the preparation methods of hydrogenated amorphous silicon thin films are reviewed. The optical and electrical properties of the thin films are discussed by analyzing the localized energy levels. Finally, the applications of thin films are introduced.