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期刊论文
SiA923EDJ:功率MOSFET
SiA923EDJ:功率MOSFET
来源 :世界电子元器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:heheaixixi
【摘 要】
:
VishayIntertechnology推出双芯片20VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFETSiA923EDJ。采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAKSC.70封装。
【出 处】
:
世界电子元器件
【发表日期】
:
2011年4期
【关键词】
:
功率MOSFET
第三代
P沟道
双芯片
增强型
封装
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VishayIntertechnology推出双芯片20VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFETSiA923EDJ。采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAKSC.70封装。
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