【摘 要】
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研究了 10 0 0～ 12 0 0℃温度下干氧和湿氧中 6H SiC材料的氧化特性 ,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系 .实验结果表明 ,在相同的生长条件下 ,6H SiC材料的氧化层厚
【机 构】
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研究了 10 0 0～ 12 0 0℃温度下干氧和湿氧中 6H SiC材料的氧化特性 ,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系 .实验结果表明 ,在相同的生长条件下 ,6H SiC材料的氧化层厚度远小于Si的氧化层厚度 ,且遵循相同的生长规律 .
The oxidation characteristics of 6H SiC in dry and wet oxygen at 10 0 ~ 1200 ℃ were investigated. The relationship between the thickness of oxide layer and temperature, time and atmosphere was discussed. The experimental results show that under the same growth conditions, 6H SiC material oxide layer thickness is much smaller than the Si oxide layer thickness, and follow the same growth rules.
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