高压下Al的零温电子结构和物态方程

来源 :高压物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:linli881203
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用LMTO方法(线性Muffin-Tin轨道法),计算了金属铝的超高压电子结构及零温物态方程。Al的压缩比到10,压力达10TPa。根据第一原理计算结果,在带结构方面,S带总是处于Fermi能以下,随着压力的增加,s、p和d的带宽增加,随后则杂化程度增加,所以s、d轨道的电子占据数连续变化。上述变化对压力的影响也是连续的,换言之,从s→d转变没有理由说明Al在0.5TPa附近冲击Hugoniot的斜率的拐弯现象。而这一点则是与Al'tshuler的观点不同。物态方程的第一原理计算结果表明,bcc结构比fcc结构要软,但因差别不很大,即使发生fcc→bcc的转变,也不会引起Hugoniot的质的变化(拐弯)。Al的LMTO物态方程还表明,我们以前所采用的半经验的冷压误差可达30%。为此,根据LMTO结果,给出新的冷压表达式其中a_0=-7.32779,a_1=18.7543,a_2=10.2097,a_3=-2.52353,a_4=-4.7872,a_5=6.06594拟合误差小于3%。
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