砷预非晶制作结深小于0.25μm的浅结

• 作 者: 林健 李明祥
• 机 构: 华晶公司中央研究所,华晶公司中央研究所江苏无锡214035,江苏无锡214035,江苏无锡214035
• 出 处: 微电子学
• 发表日期: 1992年5期
• 关键词: 砷预非晶 砷 制备 浅结 退火 Aspreamorphization Shallow junction Conventional furnace annea

本文报道了As预非晶制作浅P~+n结,对As预非晶的能量和剂量的选择作了研究,并对常规炉退火(950℃,N_2,30m)和快速热退火(RTA,1050℃,10_s)作了比较。结果表明,A_s预非晶可有效地抑制B~+注入沟道效应,阻止B~+增强扩散,在常规条件下可以实现x_j<0.25μm,R_□<100Ω/□的源漏浅结,并已应用于1M位DRAM生产。