【摘 要】
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与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也
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与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013
Next-generation power semiconductors, such as SiC and GaN, are expected to significantly improve efficiency and reduce size with inverters and current converters, compared to current Si power semiconductors. In 2013, the number of cases using SiC power components and GaN power components gradually increased, and various enterprises also started fierce competition for development of these components. For SiC power semiconductors, the development of a channel-type MOSFET with a channel at the gate was conducted in 2013
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