【摘 要】
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研究分析了４０００系列ＣＭＯＳ器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特征及其与加固水平的关系；控讨了辐射感生静态功耗电流，其中特别是场氧化层漏电流的加固抑制方法
The generation mec
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研究分析了４０００系列ＣＭＯＳ器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特征及其与加固水平的关系；控讨了辐射感生静态功耗电流，其中特别是场氧化层漏电流的加固抑制方法
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