【摘 要】
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本文提出了一种比熟知的SWAMI方法更简便有效的低缺陷无“鸟嘴”等平面氧化物隔离技术.采用各向同性化学腐蚀形成硅槽以克服RIE刻蚀硅造成的损伤.同时巧妙地利用各项同性腐蚀
【机 构】
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复旦大学微电子研究所,复旦大学微电子研究所,复旦大学微电子研究所
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本文提出了一种比熟知的SWAMI方法更简便有效的低缺陷无“鸟嘴”等平面氧化物隔离技术.采用各向同性化学腐蚀形成硅槽以克服RIE刻蚀硅造成的损伤.同时巧妙地利用各项同性腐蚀中形成的氮化硅“屋檐”在RIE刻蚀氮化硅时的掩蔽作用,形成理想的侧壁氮化硅掩蔽层,从而构成低缺陷、无“鸟嘴”结构.此方法不仅有利于缩小器件尺寸,还可改善双极型晶体管的EC特性.它与常规工艺完全相容,在成熟的LOCOS工艺基础上不必附加新工序.将本工艺应用于ALSTTL超高速电路,能显著提高电路性能.因此,有较高的实际推广价值.
In this paper, we propose a simple and effective low-defect, “beak” equal planar oxide isolation technique that is more effective and less effective than the well-known SWAMI method, using isotropic chemical etching to form silicon trenches to overcome the damage caused by silicon RIE etching. Using the silicon nitride “eaves” formed during isotropic etching, the masking effect of silicon nitride on RIE is etched to form an ideal sidewall silicon nitride mask to form a low defect, no “beak” structure. The method not only helps to reduce the size of the device, but also improves the EC characteristics of the bipolar transistor, which is completely compatible with the conventional process without adding a new process based on the mature LOCOS process. Significantly improve the circuit performance.Therefore, there is a higher practical value of the promotion.
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