复合掺杂CeO2基电解质性能与烧结温度关系

• 作 者: 梁广川 刘文西
• 机 构: 河北工业大学材料中心,天津大学材料学院
• 出 处: 河北工业大学学报
• 发表日期: 1999年5期
• 关键词: 固体电解质 电导率 掺杂 氧化铈 陶瓷 烧结温度 Ceria Solid electrolyte Electrical conductivity Dopi
• 基金项目: 国家教育部高温结构陶瓷与工程陶瓷加工技术开放实验室基金

实验发现，用复合掺杂法可以有效地降低ＣｅＯ２基电解质的烧结温度．用Ｓｍ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３共同掺杂时，可以使ＣｅＯ２基电解质的烧结温度从１６００℃左右降低到１４００—１４５０℃．复合掺杂的ＣｅＯ２基电解质电导率随着烧结温度的提高而下降，这可能是由于晶间玻璃相的增多和新相的出现造成的；Ｘ射线衍射分析发现，对１４００—１５５０℃烧结的样品，Ｓｍ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３固溶较好，但对１６００℃烧结的样品，可见新相生成，同时伴随着晶格常数减小．