【摘 要】
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针对C/SiC复合材料进行了空气工作环境下的烧蚀研究.分析了C/SiC复合材料的氧化机理,研究了C/SiC材料的氧化烧蚀的影响因素.根据氧化机理,对不同温度下材料的氧化烧蚀进行了
【机 构】
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北京航空航天大学宇航学院,北京,100083
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针对C/SiC复合材料进行了空气工作环境下的烧蚀研究.分析了C/SiC复合材料的氧化机理,研究了C/SiC材料的氧化烧蚀的影响因素.根据氧化机理,对不同温度下材料的氧化烧蚀进行了模拟,针对SiC材料建立了相应氧化剥蚀模型,并对平板材料的氧化情况进行了模拟计算,将计算结果进行剥蚀情况和非剥蚀情况下的比较讨论.计算结果表明,在不同的温度下C/SiC复合材料的氧化有不同的控制机理,SiO2层的剥蚀将导致SiC材料的氧化烧蚀率增加.
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