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对用电沉淀方法制备的铜铟硒，银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原Ｈ２Ｏ２时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究，特别是对它们的振荡形式，起振条件，外界影响因素及光电调制等进行了阳纳，较系统地总结了ＩＢ族元素与Ｉｎ，Ｓｅ的构造的三元半导体化合物薄膜的电化学振荡的基本特点。
铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较
【摘 要】
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对用电沉淀方法制备的铜铟硒，银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原Ｈ２Ｏ２时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究，特别是对它们的振荡形式，起振条件，外界影响因素及光电调制
【机 构】
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上海电力学院
【出 处】
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上海电力学院学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室资助
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