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在以ITO薄膜为正极的透明导电玻璃上，利用PECVD方法进行B掺杂制备出具有p-i结的a-SiCx：H薄膜，然后在其上溅Al作为负电极形成“三明治”器件结构，并对它的I-V特性和发光特性进行了研究。结果表明，器件具有整流效应，正反向电压分别为8V和12V；在正向电压高于8V时，观测到了电致发光。最后，根据我们提出的能带模型很好地解释了实验结果。