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采用MOCVD技术在Si衬底（111）面上生长了GaN外延膜，分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷，研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化．结果表明，外延层的表面比较平整，多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度，提高晶体质量．膜的表面有许多颗粒状的发光中心，除了强的带边峰外，还有弱的黄光带和红光带，这可能是ON与VG。所产生的深能级跃迁产生的．GaN的晶体质量具有梯度变化，GaN外延层的上层晶体质量比较好，界面附近比较差，但是外延层与衬底的结合强度较高，临界载荷达到2．05N．