【摘 要】
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终于已达到把10亿个晶体管和其他元件集成在一块硅片上的水平.最近举行的ISSCC论述了头两种GbitDRAM的细节,同时还着重介绍了其他高性能的DRAM与闪速存储器、高级的64位微处
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终于已达到把10亿个晶体管和其他元件集成在一块硅片上的水平.最近举行的ISSCC论述了头两种GbitDRAM的细节,同时还着重介绍了其他高性能的DRAM与闪速存储器、高级的64位微处理器与许多其他数字技术的重要发展.尽管这些器件还要过好几年才能大量生产,但是Gb级DRAM与用于制造这些器件的亚微米技术已成为密度更大的逻辑电路的前兆.
Has finally reached the level of 1 billion transistors and other components integrated in a piece of silicon.The recent ISSCC discusses the first two GbitDRAM details, but also focuses on other high-performance DRAM and flash memory, advanced 64-bit microprocessors and many other digital technologies.Although these devices will take years to mass-produce, Gb DRAMs and submicron technologies used to fabricate these devices have become precursors of denser logic .
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