【摘 要】
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针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了 CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况.研究表明:高能质子辐照导致CCD性能退化的敏感参数包括暗电流、电荷转移效率和热像素;对于60 MeV和100 MeV的质子能量,当辐照注量达到5×1010 cm-2时,暗电流和电荷转移效率出现了一定的退化,更加显著的退化表现在热像素的产生.分析发现,60 MeV和100 MeV质子辐照导致暗电流
【机 构】
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北京理工大学光电学院,北京100081;中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
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针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了 CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况.研究表明:高能质子辐照导致CCD性能退化的敏感参数包括暗电流、电荷转移效率和热像素;对于60 MeV和100 MeV的质子能量,当辐照注量达到5×1010 cm-2时,暗电流和电荷转移效率出现了一定的退化,更加显著的退化表现在热像素的产生.分析发现,60 MeV和100 MeV质子辐照导致暗电流和电荷转移效率的退化可通过NIEL进行等效,而热像素产生则不能等效.因此,在进行高能质子辐照导致CCD性能退化评估时,需重点考察热像素产生情况,且应针对实际应用的辐射环境,使用合适的质子能量进行更具针对性的辐照试验.
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以4T CMOS有源像素图像传感器为研究对象,开展了 10 MeV不同注量质子辐照导致图像传感器满阱容量性能退化模拟研究,建立了 CMOS图像传感器结构模型和质子辐照模型;结合满阱容量计算模型,分析了不同注量质子辐照对光电二极管(PPD)电容、TG沟道势垒及浮置节点(FD)与衬底形成的耗尽层的影响,揭示了辐照诱导满阱容量退化机理;在CMOS图像传感器结构设计基础上,提出了抗辐射设计方案.研究结果表明,质子辐照在氧化层中引入大量的氧化物陷阱电荷和界面态,使得PPD耗尽层展宽,导致光电二极管(PPD)电容下降
水力压裂形成的复杂裂缝网络破坏了单个线性裂缝的流动特性,给油井的动态预测带来了极大的挑战.为了研究多翼裂缝垂直井的瞬态压力特征,基于源函数理论和叠加原理将地层系统分为两个子系统,利用离散坐标法建立了瞬态压力分析的半解析模型.通过Laplace变换及Stehfest反演算法绘制了油藏中各流动阶段的识别曲线.在此基础上,通过改变裂缝数量、裂缝长度、裂缝角度、裂缝分布形式和裂缝导流能力等参数对复杂裂缝网络进行了敏感性分析.研究结果表明,多翼裂缝垂直井的地层流动共经历了 4个阶段,其中,裂缝数量及长度对地层内地层
为了确定页岩中总含气量、吸附气/游离气含量及其比例,建立了一种新的页岩原位含气性定量评价方法,即过程分析法.该方法将钻井取芯及现场解析全过程拆分为5个阶段,依次评价不同阶段气体(吸附气、游离气)逸散量.在获取钻井取芯、储层物性、吸附/扩散、气体特性及岩芯现场解析等数据之后,使用该方法可正演计算获得全过程的气体解析量,同时获得原位总含气量、吸附气/游离气含量及其比例等数据.应用该方法对焦石坝区块JY182-6井五峰组—龙马溪组海相页岩原位含气性进行了评价.过程分析法所得总含气量是USBM直接法结果的0.8～
从设计和实现2个方面介绍了质子单粒子效应数据信息系统.该系统围绕西安200 MeV质子应用装置而建,不仅能收集与质子试验相关的试验条件和试验结果等信息,形成资源中心,而且能管理与质子试验相关的机时分配、材料及报告审核等业务流程,实现了静态资源与动态业务管理的有机融合,可对辐照效应数据进行全寿命周期管理,保证数据的完整性、规范性和可追溯性,并提高管理效率和应用水平.
油气资源可分为常规资源和非常规资源两种基本类型.非常规油气主要包括致密油(页岩油)、油砂油、致密气、页岩气、煤层气和天然气水合物等.非常规天然气已经成为全球天然气产量增长的主力,非常规油已经成为全球原油产量的重要组成.rn针对非常规油气复杂的地质特征,中国探索形成了一系列特色理论技术,有效地推动了致密气、煤层气和页岩气的勘探开发,使之成为中国天然气产量的重要组成,有效促进了致密油与页岩油等勘探评价在多盆地取得重要发现,使之成为未来中国原油稳产增产的关键领域.2020年,中国非常规天然气产量为732×108
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