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利用GaAs FET作为振荡管来设计实现一种可以利用在X波段的低噪声介质谐振器振荡器（DRO）。该振荡器采用反馈型振荡，机械调谐范围宽，输出功率大，频率稳定度高，输出相噪好，在偏离主频1MHz处相噪可达-130dBc／Hz。
X波段锁相DRO的研制
【摘 要】
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利用GaAs FET作为振荡管来设计实现一种可以利用在X波段的低噪声介质谐振器振荡器（DRO）。该振荡器采用反馈型振荡，机械调谐范围宽，输出功率大，频率稳定度高，输出相噪好，在偏离主频1M
【机 构】
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电子科技大学电子工程学院,深圳通创通信公司
【出 处】
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大众科技
【发表日期】
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2008年6期
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