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本文阐述了引上法晶体生长和熔化相互作用的机理。引上法熔体分成三部分：主熔体Ａ；生长面上一个亚微观层厚的具有高溶质浓度（ｋ＜１时）的熔体Ｂ；位于熔体Ａ、Ｂ间的隔离层熔体Ｃ。无扰动时，隔离层熔体Ｃ包围着晶体生长面和熔体Ｂ，使晶体只与溶体Ｂ接触，不与熔体Ａ接触。遇扰动时，熔体Ａ侵入隔离层熔体不稳定的边缘，熔体Ａ接触晶体，熔化发生。晶体熔化时，一个边界层厚的晶体中产生组分过热，晶体抗熔化能力增强，隔离层熔体轮廓线内移，它的稳定性增加，生长和熔化进入平衡状态。晶体边缘的熔化程度取决于组分过冷，组分过冷越严重，晶体横