高性能1mm AlGaN／GaN功率HEMTs研制

• 作 者: 邵刚 刘新宇 和致经 刘键 魏珂 陈晓娟 吴德馨 王晓亮 陈
• 机 构: 中国科学院微电子研究所,中国科学院半导体研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年1期
• 关键词: ALGAN/GAN HEMT 微波功率 单位截止频率 AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors(HE
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 3 ),,中国科学院重点创新 (批准号 :KGCX2SW 10 7)资助项目~~

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN／GaN HEMTs功率器件．为了提高微波功率器件性能，采用新的欧姆接触和新型空气桥方案．测试表明，器件电流密度为0．784A／mm，跨导197mS／mm，击穿电压大于40V，截止态漏电较小，1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz，功率增益为11dB，功率密度为1．2W／mm，PAE为32％，两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力．