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<正> 由离子注入形成的SOI材料制成的超大规模集成电路具有速度快、抗辐照等优点,因此SOI材料在微电子领域中将得到广泛应用。目前,形成SOI材料的途径主要是向硅中注氮或氧,在离子注入过程中将产生大量点缺陷及复杂缺陷,这些缺陷将导致晶格应变,使晶格之间产生应力。当离子半径小于晶体中原子半径时,将导致晶格收缩;反之,将使晶格膨胀。更多还原