新结构微波功率SiGe HBT的数值分析

• 作 者: 刘亮 王玉琦 肖波 亢宝位 吴郁 王哲
• 机 构: 北京工业大学电子信息与控制工程学院,香港科技大学物理系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年1期
• 关键词: 微波功率SiGe HBT MSG/MAG 最高振荡频率 microwave power SiGe HBT MSG/MAG maximum oscillation

提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)，该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能．将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较，发现新结构器件的基区-集电区电容减少了55％，因而使器件的最大有效增益提高了大约2dB，其工作在低压(Vce=4．5V)和高压(Vce=28V)情况下的最高振荡频率分别提高了24％和10％．