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测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.
a—Si：H／c—Si异质结的高频C—V特性
【摘 要】
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测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.
【机 构】
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合肥工业大学应用物理系合肥230009
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1993年8期
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