双极超高速VLSI用超自动定位技术

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最近日本电电公司武藏野研究所研制成称之为超自动定位技术,使晶体管尺寸缩小到以往的1/5,实现了超高速双极LSI。过去,用在双极LSI的晶体管,在发射极和基极电极的一部分独立地做在同一平面上,而这一方法则做成台阶,中间有夹层绝缘物,进而使基极面积变得很小。已制成的8×8乘法器的乘法时间为10ns,速度提高了5倍。1KbitRAM的取出时间为 Recently Musashi Research Institute of Japan's electric company called supertarget positioning technology, the transistor size reduced to 1/5, to achieve ultra-high speed bipolar LSI. In the past, transistors used in bipolar LSIs were made independently on the same plane as part of the emitter and base electrodes, and in this method steps were made with interlayer insulation in between, which made the base area very small . A fabricated 8 × 8 multiplier has a multiplication time of 10ns and a speed increase of 5x. 1KbitRAM removal time is
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