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利用低压－金属有机化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法研制出ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子疚线腔长的关系。
InGaAsP／InGaP／GaAs单量子阱激光器工作特性
【摘 要】
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利用低压－金属有机化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法研制出ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子疚线腔长的关系。
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金,“863”计划资助,中国科学院院长基金
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