【摘 要】
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根据SOI MOSFET的工作原理,在SOI MOSFET的氧化层、耗尽层和埋氧化层分别引入矩形等效源,提出了电势二维分布的定解问题.再通过半解析法、傅里叶级数展开法和积分法相结合对
【机 构】
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安徽大学电子信息工程学院,中国电子科技集团有限公司第58研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（61376098,61076086）资助.
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根据SOI MOSFET的工作原理,在SOI MOSFET的氧化层、耗尽层和埋氧化层分别引入矩形等效源,提出了电势二维分布的定解问题.再通过半解析法、傅里叶级数展开法和积分法相结合对每个区域的定解问题进行求解,得到了定解问题的二维半解析解,解得结果是无穷级数形式的特殊函数.计算和仿真结果表明,提出的模型求解时精度高,运算量较小,可用于的电路模拟程序.
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