离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

• 作 者: 王延峰 刘忠立
• 机 构: 中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室,中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2001年7期
• 关键词: 氮离子注入 栅介质 二氧化硅 薄膜 nitrided thingate SiO2 nitrogen ion implantation boron penet
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目

研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性，实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力，它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显著下降，氮化栅介质的击穿电荷（Qbd)比常规栅介质提高了20％，栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^+离子形成了更稳定的键所致。