【摘 要】
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1989年第4期a一SIN::H薄膜热退火释氮特性研究200V MOS高压集成电路的研制Tisi:膜的制备及性质PECVD硅化铁的淀积及其特性PECVD SIN/510:双层膜的应力特性采用电子回旋共振等
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1989年第4期a一SIN::H薄膜热退火释氮特性研究200V MOS高压集成电路的研制Tisi:膜的制备及性质PECVD硅化铁的淀积及其特性PECVD SIN/510:双层膜的应力特性采用电子回旋共振等离子休的低温化学汽相 淀积方法付数正态模型的极大似然估计开关电源滤波器的分析—以单极点模型描 述
1989 No. 4 a SIN :: H thin film thermal annealing nitrogen release characteristics of 200V MOS high voltage integrated circuits Tisi: the preparation and properties of the film PECVD ferric oxide deposition and its characteristics PECVD SIN / 510: bilayer STRESS CHARACTERISTICS Low Temperature Chemical Vapor Deposition by Electron Cyclotron Resonance Plasma Discrimination Maximum Likelihood Estimation of the Parabolicity Normal Model Switching Power Supply Filters - Described as a Single-Pole Model
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