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利用新型全固源分子束外延技术，对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明，较低的生长温度或较大的V/Ⅲ束流比有利于提高应变多量子阱材料的结构质量，而生长温度对材料的光学特性有较大的影响。在此基础上生长了分别限制多量子陆激器结构，制作的氧化物条形宽接触激光器实现了室温脉冲工作，激射波长为1563nm，阈值电流密度为1.4ka/cm^2。这是国际上首次基于全国激分子束外延的1.55μm波段InAsP/InGaAsP多量子阱激光器的报道。