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SiGe HBT及高速电路的发展
SiGe HBT及高速电路的发展
来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vcnewer
【摘 要】
:
详细讨论了SiGe HBT的直流交流特性、噪声特性,SiGe HBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGe HBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)
【作 者】
:
姚飞
成步文
王启明
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
【出 处】
:
微纳电子技术
【发表日期】
:
2003年10期
【关键词】
:
SiGe
HBT
噪声特性
结构
制作工艺
寄生效应
高速电路
异质结双极晶体管
功率放大器
硅锗
SiGe
HBT
RF
LNA
PA
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详细讨论了SiGe HBT的直流交流特性、噪声特性,SiGe HBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGe HBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等.
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