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随着MOS器件尺寸的缩小,栅氧化层厚度不断减小,导致栅极漏电流迅速增加,因此如何改善栅极漏电流成为了当前研究的热点问题,本文将从减少MOS栅极漏电流的几类方式进行分析.本文从国内、国外的专利申请量、申请人分布等多方面进行统计分析,总结了与减少MOS栅极漏电流相关的国内和国外专利的申请趋势、主要申请人分布以及重点技术的发展路线进行了梳理.