多孔硅薄膜上铜微晶的形成

• 作 者: 陈兰莉 周甫方 翟保改 黄远明
• 机 构: 南阳理工学院电子系,云南师范大学物理与电子信息技术学院
• 出 处: 电化学
• 发表日期: 2008年3期
• 关键词: 电沉积 多孔硅 微晶 纳米材料 分形维数 electrochemical deposition porous silicon microcrystal

以氯化铜水溶液作电解液，在发光多孔硅薄膜表面上电沉积铜．SEM观测和计算机图像处理结果表明：电沉积之后，在多孔硅薄膜上形成了一些或实心或中空的等边三角形铜微晶，沉积后的多孔硅薄膜的分形维数从2．608降为2．252，其表面由粗糙变为光滑．与物理方法制作相比，这是一种机械强度和导电性能都更加良好的多孔硅薄膜．