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在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA<sub>3</sub>超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。
Ga／As／Al／As超晶格低温光伏特性
【摘 要】
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在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA<sub>3</sub>超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰
【机 构】
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厦门大学物理学系,厦门大学物理学系
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1993年1期
【基金项目】
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半导体超晶格国家重点实验室项目
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