【摘 要】
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研究了采用流动注射技术结合阴离子树脂分离富集痕量钍。在0.30mol/L的HCl介质中,Th(Ⅳ)与Cl-形成络阴离子,被阴离子树脂分离富集,用0.25mol/LHNO3-质量分数2.5%柠檬酸溶液洗脱
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研究了采用流动注射技术结合阴离子树脂分离富集痕量钍。在0.30mol/L的HCl介质中,Th(Ⅳ)与Cl-形成络阴离子,被阴离子树脂分离富集,用0.25mol/LHNO3-质量分数2.5%柠檬酸溶液洗脱富集在阴离子树脂上的Th(Ⅳ),Th(Ⅳ)能与偶氮氟胂-Ⅲ(FAsA-Ⅲ)发生显色反应,据此建立了测定痕量钍(Ⅵ)的流动注射-光度法的新方法。结果表明,在实验条件下,FAsA-Ⅲ与Th(Ⅳ)反应生成稳定的络合物,其最大吸收波长为656nm,钍的质量浓度在0~800μg/L内符合比耳定律,方法的检出限为1.0
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