【摘 要】
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以氧化锡(SnO2)掺杂的氧化铟(In2O3)陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射工艺在普通玻璃基底上沉积了掺锡In2O3(In2O3:Sn)薄膜样品,通过XPS、XRD和SEM等表征手段,研究了基
【机 构】
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中南民族大学电子信息工程学院,中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室
【基金项目】
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湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418),中南民族大学研究生学术创新基金后期资助项目(2018hqzz023).
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以氧化锡(SnO2)掺杂的氧化铟(In2O3)陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射工艺在普通玻璃基底上沉积了掺锡In2O3(In2O3:Sn)薄膜样品,通过XPS、XRD和SEM等表征手段,研究了基底温度对薄膜晶粒生长和微观结构的影响.结果表明,所有In2O3:Sn样品均为多晶薄膜并具有体心立方铁锰矿晶体结构,基底温度对晶粒生长特性和微观结构性能具有明显的影响.基底温度升高时,薄膜沿(222)晶面的织构系数和平均晶粒尺寸先增大后减小,而位错密度和晶格应变则呈现相反的变化趋势.当基底温度为250℃时,In
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