退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响

• 作 者: 黄树来 姜永超 盖凌云 徐进栋 王雨生 马瑾
• 机 构: 莱阳农学院理学院,莱阳农学院教育技术中心,山东大学物理与微电子学院
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2006年2期
• 关键词: 磁控射频溅射 透明导电膜 Zn-Sn-O:Sb magnetron sputtering Zn-Sn-O ： Sb film opto-electrical p
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（60276044）,教育部科学技术研究重点资助项目（重点02165）

首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧（Zn-Sn-O：Sb）透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后，氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O：Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10^-2Ω·cm，相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2．1×10^19cm^-3，8cm^2·V^-1·s^-1。薄膜的可见光平均透过率达到了92．4％。薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性