【摘 要】
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1981年7月在美国加利福尼亚州圣地亚哥召开了第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议(ICVGE—5/ACCG—5).参加会议的代表来自近20个国家,共400多人.会议上宣读
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院半导体研究所
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1981年7月在美国加利福尼亚州圣地亚哥召开了第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议(ICVGE—5/ACCG—5).参加会议的代表来自近20个国家,共400多人.会议上宣读的论文有200多篇,我国被接受宣读的论文有5篇,其中一篇为特约报告.会议论文可归纳为七个方面:1.晶体生长理论,2.熔体和溶液生长,3.气相外延,4.分子束外延,5.波相外延,6.特性和测试,7.新工艺和新材料.
The Fifth International Conference on Vapor Phase Growth and Epitome / 5th American Crystals Growth Conference (ICVGE-5 / ACCG-5) was held in San Diego, California, USA in July 1981. Representatives from nearly 20 countries attended the conference More than 200 papers were read at the conference, and 5 papers were read and accepted in China, one of which is a special report.The conference papers can be summarized into seven aspects: 1. Theory of crystal growth, 2. Melt and Solution growth, 3. Vapor phase epitaxy, 4. Molecular beam epitaxy, 5. Wave phase epitaxy, 6. Characteristics and testing, 7. New processes and new materials.
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