氮气压力对烧结氮化硅性能和显微结构的影响

• 作 者: 邬凤英 庄汉锐
• 机 构: 中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 1991年2期
• 关键词: 氮化硅 烧结 氮气 气压烧结 陶瓷 Silicon nitrids Gas pressure sintering Microstructure Grain

研究了添加 Y_2O_3和 La_2O_3的气压烧结氮化硅陶瓷的性能和显微结构之间的关系,详细探讨了氮气压力对相组成、显微结构和0性能的影响。结果表明,所得氮化硅材料是由长柱状的β-Si_3N_4主晶相和微量的(Y,La)_2O_3(?)Si_2N_2O、2(Y,La)_2O_3 Si_2N_2O、La_5(SiO_4)_3N 和 LaYO_3晶界结晶相构成。在实验的基础上指出,控制烧成的临界状态可能是改善 Si_3N_4材料性能的新途径。