【摘 要】
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目前,大量半导体元件和集成电路是在硅外延片上制造的,所以硅外延层电阻率的测量对监控外延层电气特性有着十分重要的意义。从单晶外延到元件工艺直到制成产品要经过十几道工
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目前,大量半导体元件和集成电路是在硅外延片上制造的,所以硅外延层电阻率的测量对监控外延层电气特性有着十分重要的意义。从单晶外延到元件工艺直到制成产品要经过十几道工序,每道工序都会引起杂质分布状况的变化,这就使电阻率成为一个十分不稳定的因素。因此,在大量生产中,只有迅速、准确地测
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